vezdehoder2022

roboweek2022

forumarctic22

rus-viet2022

ekip2022

infoforum2022

uzbuild2023

icci2023

nov ur2023

compozit2022

puexpo2022

spto kran2022

crio2022

Полный цикл производства АО «ФЗМТ»

01АО «ФЗМТ» специализируется на выпуске ЭКБ межвидового применения для силовой электроники с приемкой качества ВП в интересах предприятий оборонно-промышленного комплекса РФ для военной, космической, авиационной техники, ядерной энергетики, транспорта, специальной связи, РЭБ, электронной защиты информации. Доля продукции, выпускаемая АО «ФЗМТ» в интересах оборонно-промышленного комплекса РФ, составляет 99 %.
АО «ФЗМТ» поставляет приборы более 300 предприятиям, работающим в сфере государственного оборонного заказа.
АО «ФЗМТ» разработан, согласован с ВП и реализован «План по подготовке перевода системы качества АО «ФЗМТ» на систему менеджмента качества в соответствии с требованиями ГОСТ Р ИСО 9001-2015.
На АО «ФЗМТ» организован полный цикл производства, имеются подразделения для разработки и изготовления кристаллов и корпусов приборов, необходимой оснастки, измерительного и испытательного оборудования.
На предприятии имеется все необходимое технологическое, контрольно-испытательное и метрологическое оборудование, а также средства проектирования и производственные мощности для серийного выпуска приборов и выполнения ОКР.

В номенклатуре выпускаемой продукции АО «ФЗМТ»:
- мощные биполярные транзисторы на напряжения от 100 до 1500 В и токи от 5 до 20 А (12 типономиналов);
- мощные полевые транзисторы на напряжения от 25 до 1200 В и токи от 20 до 45 А (33 типономинала);
- мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором на напряжения от 660, 1200 В и токи 23, 45 А (9 типономиналов);
- мощные диоды Шоттки и диодные сборки на их основе на напряжения от 30 до 300 В и токи 20 А (84 типономинала);
- выпрямительные диоды и диодные сборки на их основе на напряжения от 200, 400, 600 В и токи 8, 15 А (72 типономинала);
- импульсные диоды и диодные сборки на их основе на напряжения от 400, 600 В и токи 8, 15 А (48 типономинала).
Основные параметры мощные биполярных транзисторов в корпусах типа КТ-9 и КТ-19А-3 представлены в таблице 1.

Таблица 1. Основные электрические параметры биполярных транзисторов с приёмкой «5»

Наименов.

изделия

Тип

корпуса

Макс. допустимые параметры

Основные электр. параметры

Uкэо

гр,

B

Uкбо

проб,

B

ма,

А

Iк,и

мах,

А

Рк

мах,

Вт

h21э,

ед.

Uкэнас,

B

tpac,

мкс

tсп,

мкс

2Т812А

          Б

КТ-9

350

700

10

12

50

5-30

£ 2,5

£ 3,5

£ 1,3

350

500

10

12

50

5-30

£ 2,5

< 3,5

£ 1,3

2T826A

        Б

          В

КТ-9

500

700

1,0

1,0

15

10-120

£ 2,5

£ 3,0

£ 1,5

600

700

1,0

1,0

15

10-120

£ 2,5

-

-

500

700

1,0

1,0

15

10-120

£2,5

-

-

2Т827А-5

б/к

100

100

20

40

-

³ 750

£ 2,0

£ 4,5

£ 1,2

2Т827А

           Б

         В

КТ-9

100

100

20

40

125

³ 750

£ 2,0

£ 4,5

£ 1,2

80

80

20

40

125

³ 750

£ 2,0

£ 4,5

£ 1,2

60

60

20

40

125

³ 750

£ 2,0

£ 4,5

£ 1,2

2Т834А

          Б

          В

КТ-9

400

500

15

20

100

³ 150

£ 2,0

£ 6,0

£ 0,5

350

450

15

20

100

³ 150

£ 2,0

£ 6,0

£ 0,5

300

400

15

20

100

³ 150

£ 2,0

£ 6,0

£ 0,5

2T839А

КТ-9

700

1500

10

10

50

³ 5

£ 1,5

£ 10

£ 1,5

2Т844А

КТ-9

250

250

10

20

50

10-50

£ 2,5

£ 2,0

£ 0,3

2T845А

КТ-9

400

400

5,0

7,5

40

15-100

£ 1,5

£ 4,0

£ 0,35

2T847A

КТ-9

360

650

15

25

125

³8

£ 1,5

£ 3,0

£ 0,8

2Т926А

КТ-10

-

200

15

25

50

10-60

£ 2,5

-

-

2Т935Б

КТ-97В

70

130

20

30

90

12-55

£ 1,0

£ 1,5

£ 0,2

2Т935Б1

КТ-19А3

70

130

20

30

90

12-55

£ 1,0

£ 1,5

£ 0,2

2Т945А

          Б

          В

          Г

КТ-9

200

200

15

25

50

10-60

£ 2,5

£ 1,1

£ 0,24

150

150

15

15

50

10-60

£ 2,5

£1,1

£ 0,24

150

150

15

25

50

10-60

£ 2,5

£1,1

£ 0,24

150

150

15

25

50

12-60

£ 2,5

£1,1

£ 0,24

2T9138А

КТ-19A3

100

200

5,0

10

50

³ 30

£ 1,5

£ 0,25

£ 0,05

Мощные полевые транзисторы представлены двумя сериями и выпускаются герметичных металлостеклянных корпусах типа КТ-97А, В, С и в герметичных керамических корпусах на основе керамики нитрида алюминия с изолированным фланцем типа КТ-111А, В, С.
Основные параметры мощных полевых транзисторов представлены в таблице 2, 3.

 

Таблица 2. Основные электрические параметры мощных полевых транзисторов 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в корпусах типа КТ-97А, В, С

 

 

 

Наименование

изделия

 

 

Тип

корпуса

 

 

Покрытие корпуса

Макс. допустимые параметры

Основные электр. параметры

UСИ max

B

UЗИ

max

B

IС

mах

А

IС,И

mах

А

РС

mах

Вт

RСИ

отк

Ом

UЗИ

пор

B

QЗИ

тип.

нКл

tСП

мкс

2П7160А, А1

КТ-97С

Au, Ni

30

20

46

70

125

0,006

2-4

190

£0,15

2П7160Б, Б1

КТ-97А

Au, Ni

100

20

20

50

75

0,048

2-4

85

£0,12

2П7160В, В1

КТ-97В

Au, Ni

200

20

35

70

125

0,08

2-4

140

£0,15

2П7160Г, Г1

КТ-97С

Au, Ni

400

20

23

46

150

0,2

2-4

165

£0,15

2П7160Д, Д1

КТ-97С

Au, Ni

500

20

20

46

150

0,23

2-4

165

£0,15

2П7160Е, Е1

КТ-97В

Au, Ni

60

20

35

70

150

0,008

2-4

300

£0,15

2П7160Ж, Ж1

КТ-97А

Au, Ni

100

20

20

50

100

0,036

2-4

120

£0,13

2П7160И, И1

КТ-97С

Au, Ni

200

20

35

70

150

0,055

2-4

270

£0,15

2П7160К, К1

КТ-97С

Au, Ni

600

20

20

46

150

0,23

2-4

165

£0,15

 

Таблица 3. Основные электрические параметры мощных полевых транзисторов 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в корпусах типа КТ-111А, В, С, С-5

 

Наименование

изделия

 

 

Тип

корпуса

Макс. допустимые параметры

Основные электр. параметры

UСИ max

B

UЗИ max

B

IС

mах

А

IС,И

mах

А

РС

mах

Вт

RСИ

отк

Ом

UЗИ

пор

B

tСП

мкс

2П7160А2

               А3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

30

20

46

70

125

0,006

2-4

£0,15

2П7160Б2

               Б3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

100

20

20

50

75

0,048

2-4

£0,12

2П7160В2

               В3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

200

20

35

70

125

0,08

2-4

£0,15

2П7160Г2

               Г3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

400

20

23

46

150

0,2

2-4

£0,15

2П7160Д2

               Д3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

500

20

20

46

150

0,23

2-4

£0,15

2П7160Е2

               Е3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

60

20

35

70

150

0,008

2-4

£0,15

2П7160Ж2

             Ж3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

100

20

20

50

100

0,036

2-4

£0,13

2П7160И2

             И3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

200

20

35

70

150

0,055

2-4

£0,15

2П7160К2

             К3•

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

600

20

20

46

150

0,23

2-4

£0,15

2П7160Л3

КТ-111C-5

1200

20

10

25

200

1,000

2-4

£0,15

2П7160М3

КТ-111C-5

600

20

20

60

180

0,150

2-4

£0,15

2П7160Н3

КТ-111C-5

100

20

50

150

150

0,010

2-4

£0,10

2П7160П3

КТ-111C-5

60

20

50

150

150

0,005

2-4

£0,10

2П7160Р2

             Р3

КТ-111C-1.02

КТ-111C-2.02

30

20

20

50

100

0,008

2-4

£0,15

Мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором выпускаются в корпусах типа КТ-9, КТ-97В, С и в корпусах типа КТ-111С.
Основные параметры мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором представлены в таблице 4.

 

Таблица 4. Основные электрические параметры мощных биполярных транзисторов 2Е802 АЕЯР.432140.283ТУ с изолированным затвором в корпусах типа КТ-9, КТ -97В, С и КТ-111С

 

 

 

Наименование

изделия

 

 

Тип

корпуса

Макс. допустимые параметры

UКЭК

max

B

IК

max

A

IК И

max

A

UЗ проб

max

В

PК

max

Вт

2Е802А

             А1

КТ-9

КТ-97В

600

23

46

±20

100

2Е802В

             В3

КТ-97С

КТ-111С-2.02

1200

45

90

±25

160

2Е802Г

             Г3

КТ-97С

КТ-111С-2.02

600

45

90

±25

160

Выпускаемые АО «ФЗМТ» диоды и диодные сборки представлены тремя сериями в герметичных керамических корпусах на основе керамики нитрида алюминия с изолированным фланцем типа КТ-111А, В.
Разводка выводов диодов и диодов в составе диодных сборок представлена в таблице 5.
Основные параметры диодов и диодных сборок серий 2ДШ2942, 2Д2943 и 2Д684 представлены в таблице 6.

 

Таблица 5. Разводка выводов диодов и диодов в составе диодных сборок серий 2ДШ2942, 2Д2943, 2Д684

 

02

Таблица 6. Основные электрические параметры диодов и диодных сборок серий 2ДШ2942, 2Д2943, 2Д684 в корпусах типа КТ-111А

 

Тип

Основные электрические параметры

Uобр max, В

Uпр, В

Iпр, А

Iобр, мА

Мощные диоды Шоттки

2ДШ2942 АЕЯР.432120.555ТУ

25-300

0,7-1,1

15-20

1,0

Мощные высоковольтные выпрямительные диоды 2Д2943 АЕЯР.432120.556ТУ

200-600

1,1-1,3

8-20

0,1

Мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684 АЕЯР.432120.557ТУ

400-600

1,5-1,6

8-15

1,0

В настоящее время АО «ФЗМТ», учитывая потребность промышленности, в инициативном порядке за счет собственных средств проводит ряд работ по расширению номенклатуры выпускаемых приборов, в том числе:
- Разработка и серийный выпуск транзисторов 2Т827Г1, Д1 аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-97В.
Транзисторы 2Т827Г1, Д1 в корпусах типа КТ-97В обладают лучшими электрическими параметрами по сравнению с серийными транзисторами, в том числе максимальное постоянное напряжение вырастет Uкэ с 100 В до 250 В, граничное напряжение с 100 В до 125 В, снизятся напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер, обратный ток коллектор-эмиттер.
Благодаря новому корпусу уменьшатся масса и габариты, тепловое сопротивление кристалл-корпус с 1,4 °С/Вт до 1,2 °С/Вт, температура p-n переходов с 200 °С до 175 °С и, как следствие, увеличится гарантийная наработка с 25000 ч до 50000 ч.
- Разработка и серийный выпуск мощных импульсных диодов на напряжения 600 В, с временем восстановления обратного сопротивления trr ≤ 60-80 нс, в металлокерамических корпусах типа КТ-111В-2.02 (на 35 А) и КТ-111С-2.02 (на 45 А) в расширение серии 2Д684.
Новые приборы планируется выпускать по 5 типономиналов в каждом корпусе: одиночный диод, диодные сборки с общим катодом, с общим анодом, по схеме умножения, также однофазный мост. Приборы будут применяться в качестве выпрямительных или обратных диодов, включенных параллельно с мощным полевым, биполярным или биполярным транзистором с изолированным затвором при работе на индуктивную нагрузку для снижения динамических потерь.
- Разработка и серийный выпуск транзисторов 2Т935Б2 в корпусе КТ-111В-2.02. Эта работа позволит уменьшить весогабаритные параметры аппаратуры.
- Разработка и серийный выпуск транзисторов 2Т9138А в корпусе КТ-111В-2.02. Эта работа позволит уменьшить весогабаритные параметры аппаратуры.
- Разработка и серийный выпуск силовых модулей (сборок) для ИВЭП в виде многокристальных силовых модулей, в том числе:
- силовой ключ корректора коэффициента мощности в составе мощного полевого транзистора (600 В, 20 А, 0,23 Ом) и быстрого обратного диода (600 В, 15 А, 50 нс) в металлостеклянном корпусе типа МО-079;
- силовой ключ синхронного выпрямителя в составе мощного полевого транзистора (30, 60, 100 В; 20 А; 6, 8, 36 мОм) и обратного диода Шоттки (25, 60, 100 В; 20 А) в металлостеклянном корпусе типа КТ-97С;
- два силовых ключа на основе мощных полевых (600 В, 20 А, 0,23 Ом) или биполярных (600 В, 15 А, 1,5 В) транзисторов и быстрых обратных диодов (600 В, 15 А, 50 нс) в герметичных металлостеклянных корпусах типа S-6 и M-8.
Для увеличения мощности допускается параллельное включение ключей.
При последовательном включении ключей организуется классический полумост.
Предприятие разработало и выпускает специальное контрольно-измерительного оборудование:
- измеритель заряда затвора ИЗЗ-01;
- измерители теплового сопротивления РТПК-02 и РТПК-10;
- уникальный комплекс для испытаний на надежность мощных диодов в динамическом режиме.

03

 

Петр ЛАХИН,
генеральный директор
АО «Фрязинский завод мощных транзисторов»