Полный цикл производства АО «ФЗМТ»
АО «ФЗМТ» специализируется на выпуске ЭКБ межвидового применения для силовой электроники с приемкой качества ВП в интересах предприятий оборонно-промышленного комплекса РФ для военной, космической, авиационной техники, ядерной энергетики, транспорта, специальной связи, РЭБ, электронной защиты информации. Доля продукции, выпускаемая АО «ФЗМТ» в интересах оборонно-промышленного комплекса РФ, составляет 99 %.
АО «ФЗМТ» поставляет приборы более 300 предприятиям, работающим в сфере государственного оборонного заказа.
АО «ФЗМТ» разработан, согласован с ВП и реализован «План по подготовке перевода системы качества АО «ФЗМТ» на систему менеджмента качества в соответствии с требованиями ГОСТ Р ИСО 9001-2015.
На АО «ФЗМТ» организован полный цикл производства, имеются подразделения для разработки и изготовления кристаллов и корпусов приборов, необходимой оснастки, измерительного и испытательного оборудования.
На предприятии имеется все необходимое технологическое, контрольно-испытательное и метрологическое оборудование, а также средства проектирования и производственные мощности для серийного выпуска приборов и выполнения ОКР.
В номенклатуре выпускаемой продукции АО «ФЗМТ»:
- мощные биполярные транзисторы на напряжения от 100 до 1500 В и токи от 5 до 20 А (12 типономиналов);
- мощные полевые транзисторы на напряжения от 25 до 1200 В и токи от 20 до 45 А (33 типономинала);
- мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором на напряжения от 660, 1200 В и токи 23, 45 А (9 типономиналов);
- мощные диоды Шоттки и диодные сборки на их основе на напряжения от 30 до 300 В и токи 20 А (84 типономинала);
- выпрямительные диоды и диодные сборки на их основе на напряжения от 200, 400, 600 В и токи 8, 15 А (72 типономинала);
- импульсные диоды и диодные сборки на их основе на напряжения от 400, 600 В и токи 8, 15 А (48 типономинала).
Основные параметры мощные биполярных транзисторов в корпусах типа КТ-9 и КТ-19А-3 представлены в таблице 1.
Таблица 1. Основные электрические параметры биполярных транзисторов с приёмкой «5»
|
Наименов. изделия |
Тип корпуса |
Макс. допустимые параметры |
Основные электр. параметры |
|||||||
|
Uкэо гр, B |
Uкбо проб, B |
Iк ма, А |
Iк,и мах, А |
Рк мах, Вт |
h21э, ед. |
Uкэнас, B |
tpac, мкс |
tсп, мкс |
||
|
2Т812А Б |
КТ-9 |
350 |
700 |
10 |
12 |
50 |
5-30 |
£ 2,5 |
£ 3,5 |
£ 1,3 |
|
350 |
500 |
10 |
12 |
50 |
5-30 |
£ 2,5 |
< 3,5 |
£ 1,3 |
||
|
2T826A Б В |
КТ-9 |
500 |
700 |
1,0 |
1,0 |
15 |
10-120 |
£ 2,5 |
£ 3,0 |
£ 1,5 |
|
600 |
700 |
1,0 |
1,0 |
15 |
10-120 |
£ 2,5 |
- |
- |
||
|
500 |
700 |
1,0 |
1,0 |
15 |
10-120 |
£2,5 |
- |
- |
||
|
2Т827А-5 |
б/к |
100 |
100 |
20 |
40 |
- |
³ 750 |
£ 2,0 |
£ 4,5 |
£ 1,2 |
|
2Т827А Б В |
КТ-9 |
100 |
100 |
20 |
40 |
125 |
³ 750 |
£ 2,0 |
£ 4,5 |
£ 1,2 |
|
80 |
80 |
20 |
40 |
125 |
³ 750 |
£ 2,0 |
£ 4,5 |
£ 1,2 |
||
|
60 |
60 |
20 |
40 |
125 |
³ 750 |
£ 2,0 |
£ 4,5 |
£ 1,2 |
||
|
2Т834А Б В |
КТ-9 |
400 |
500 |
15 |
20 |
100 |
³ 150 |
£ 2,0 |
£ 6,0 |
£ 0,5 |
|
350 |
450 |
15 |
20 |
100 |
³ 150 |
£ 2,0 |
£ 6,0 |
£ 0,5 |
||
|
300 |
400 |
15 |
20 |
100 |
³ 150 |
£ 2,0 |
£ 6,0 |
£ 0,5 |
||
|
2T839А |
КТ-9 |
700 |
1500 |
10 |
10 |
50 |
³ 5 |
£ 1,5 |
£ 10 |
£ 1,5 |
|
2Т844А |
КТ-9 |
250 |
250 |
10 |
20 |
50 |
10-50 |
£ 2,5 |
£ 2,0 |
£ 0,3 |
|
2T845А |
КТ-9 |
400 |
400 |
5,0 |
7,5 |
40 |
15-100 |
£ 1,5 |
£ 4,0 |
£ 0,35 |
|
2T847A |
КТ-9 |
360 |
650 |
15 |
25 |
125 |
³8 |
£ 1,5 |
£ 3,0 |
£ 0,8 |
|
2Т926А |
КТ-10 |
- |
200 |
15 |
25 |
50 |
10-60 |
£ 2,5 |
- |
- |
|
2Т935Б |
КТ-97В |
70 |
130 |
20 |
30 |
90 |
12-55 |
£ 1,0 |
£ 1,5 |
£ 0,2 |
|
2Т935Б1 |
КТ-19А3 |
70 |
130 |
20 |
30 |
90 |
12-55 |
£ 1,0 |
£ 1,5 |
£ 0,2 |
|
2Т945А Б В Г |
КТ-9 |
200 |
200 |
15 |
25 |
50 |
10-60 |
£ 2,5 |
£ 1,1 |
£ 0,24 |
|
150 |
150 |
15 |
15 |
50 |
10-60 |
£ 2,5 |
£1,1 |
£ 0,24 |
||
|
150 |
150 |
15 |
25 |
50 |
10-60 |
£ 2,5 |
£1,1 |
£ 0,24 |
||
|
150 |
150 |
15 |
25 |
50 |
12-60 |
£ 2,5 |
£1,1 |
£ 0,24 |
||
|
2T9138А |
КТ-19A3 |
100 |
200 |
5,0 |
10 |
50 |
³ 30 |
£ 1,5 |
£ 0,25 |
£ 0,05 |
Мощные полевые транзисторы представлены двумя сериями и выпускаются герметичных металлостеклянных корпусах типа КТ-97А, В, С и в герметичных керамических корпусах на основе керамики нитрида алюминия с изолированным фланцем типа КТ-111А, В, С.
Основные параметры мощных полевых транзисторов представлены в таблице 2, 3.
Таблица 2. Основные электрические параметры мощных полевых транзисторов 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в корпусах типа КТ-97А, В, С
|
Наименование изделия |
Тип корпуса |
Покрытие корпуса |
Макс. допустимые параметры |
Основные электр. параметры |
|||||||
|
UСИ max B |
UЗИ max B |
IС mах А |
IС,И mах А |
РС mах Вт |
RСИ отк Ом |
UЗИ пор B |
QЗИ тип. нКл |
tСП мкс |
|||
|
2П7160А, А1 |
КТ-97С |
Au, Ni |
30 |
20 |
46 |
70 |
125 |
0,006 |
2-4 |
190 |
£0,15 |
|
2П7160Б, Б1 |
КТ-97А |
Au, Ni |
100 |
20 |
20 |
50 |
75 |
0,048 |
2-4 |
85 |
£0,12 |
|
2П7160В, В1 |
КТ-97В |
Au, Ni |
200 |
20 |
35 |
70 |
125 |
0,08 |
2-4 |
140 |
£0,15 |
|
2П7160Г, Г1 |
КТ-97С |
Au, Ni |
400 |
20 |
23 |
46 |
150 |
0,2 |
2-4 |
165 |
£0,15 |
|
2П7160Д, Д1 |
КТ-97С |
Au, Ni |
500 |
20 |
20 |
46 |
150 |
0,23 |
2-4 |
165 |
£0,15 |
|
2П7160Е, Е1 |
КТ-97В |
Au, Ni |
60 |
20 |
35 |
70 |
150 |
0,008 |
2-4 |
300 |
£0,15 |
|
2П7160Ж, Ж1 |
КТ-97А |
Au, Ni |
100 |
20 |
20 |
50 |
100 |
0,036 |
2-4 |
120 |
£0,13 |
|
2П7160И, И1 |
КТ-97С |
Au, Ni |
200 |
20 |
35 |
70 |
150 |
0,055 |
2-4 |
270 |
£0,15 |
|
2П7160К, К1 |
КТ-97С |
Au, Ni |
600 |
20 |
20 |
46 |
150 |
0,23 |
2-4 |
165 |
£0,15 |
Таблица 3. Основные электрические параметры мощных полевых транзисторов 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в корпусах типа КТ-111А, В, С, С-5
|
Наименование изделия |
Тип корпуса |
Макс. допустимые параметры |
Основные электр. параметры |
||||||
|
UСИ max B |
UЗИ max B |
IС mах А |
IС,И mах А |
РС mах Вт |
RСИ отк Ом |
UЗИ пор B |
tСП мкс |
||
|
2П7160А2 А3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
30 |
20 |
46 |
70 |
125 |
0,006 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Б2 Б3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
100 |
20 |
20 |
50 |
75 |
0,048 |
2-4 |
£0,12 |
|
2П7160В2 В3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
200 |
20 |
35 |
70 |
125 |
0,08 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Г2 Г3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
400 |
20 |
23 |
46 |
150 |
0,2 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Д2 Д3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
500 |
20 |
20 |
46 |
150 |
0,23 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Е2 Е3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
60 |
20 |
35 |
70 |
150 |
0,008 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Ж2 Ж3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
100 |
20 |
20 |
50 |
100 |
0,036 |
2-4 |
£0,13 |
|
2П7160И2 И3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
200 |
20 |
35 |
70 |
150 |
0,055 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160К2 К3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
600 |
20 |
20 |
46 |
150 |
0,23 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Л3 |
КТ-111C-5 |
1200 |
20 |
10 |
25 |
200 |
1,000 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160М3 |
КТ-111C-5 |
600 |
20 |
20 |
60 |
180 |
0,150 |
2-4 |
£0,15 |
|
2П7160Н3 |
КТ-111C-5 |
100 |
20 |
50 |
150 |
150 |
0,010 |
2-4 |
£0,10 |
|
2П7160П3 |
КТ-111C-5 |
60 |
20 |
50 |
150 |
150 |
0,005 |
2-4 |
£0,10 |
|
2П7160Р2 Р3 |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
30 |
20 |
20 |
50 |
100 |
0,008 |
2-4 |
£0,15 |
Мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором выпускаются в корпусах типа КТ-9, КТ-97В, С и в корпусах типа КТ-111С.
Основные параметры мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором представлены в таблице 4.
Таблица 4. Основные электрические параметры мощных биполярных транзисторов 2Е802 АЕЯР.432140.283ТУ с изолированным затвором в корпусах типа КТ-9, КТ -97В, С и КТ-111С
|
Наименование изделия |
Тип корпуса |
Макс. допустимые параметры |
||||
|
UКЭК max B |
IК max A |
IК И max A |
UЗ проб max В |
PК max Вт |
||
|
2Е802А А1 |
КТ-9 КТ-97В |
600 |
23 |
46 |
±20 |
100 |
|
2Е802В В3 |
КТ-97С КТ-111С-2.02 |
1200 |
45 |
90 |
±25 |
160 |
|
2Е802Г Г3 |
КТ-97С КТ-111С-2.02 |
600 |
45 |
90 |
±25 |
160 |
Выпускаемые АО «ФЗМТ» диоды и диодные сборки представлены тремя сериями в герметичных керамических корпусах на основе керамики нитрида алюминия с изолированным фланцем типа КТ-111А, В.
Разводка выводов диодов и диодов в составе диодных сборок представлена в таблице 5.
Основные параметры диодов и диодных сборок серий 2ДШ2942, 2Д2943 и 2Д684 представлены в таблице 6.
Таблица 5. Разводка выводов диодов и диодов в составе диодных сборок серий 2ДШ2942, 2Д2943, 2Д684
Таблица 6. Основные электрические параметры диодов и диодных сборок серий 2ДШ2942, 2Д2943, 2Д684 в корпусах типа КТ-111А
|
Тип |
Основные электрические параметры |
|||
|
Uобр max, В |
Uпр, В |
Iпр, А |
Iобр, мА |
|
|
Мощные диоды Шоттки 2ДШ2942 АЕЯР.432120.555ТУ |
25-300 |
0,7-1,1 |
15-20 |
1,0 |
|
Мощные высоковольтные выпрямительные диоды 2Д2943 АЕЯР.432120.556ТУ |
200-600 |
1,1-1,3 |
8-20 |
0,1 |
|
Мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684 АЕЯР.432120.557ТУ |
400-600 |
1,5-1,6 |
8-15 |
1,0 |
В настоящее время АО «ФЗМТ», учитывая потребность промышленности, в инициативном порядке за счет собственных средств проводит ряд работ по расширению номенклатуры выпускаемых приборов, в том числе:
- Разработка и серийный выпуск транзисторов 2Т827Г1, Д1 аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-97В.
Транзисторы 2Т827Г1, Д1 в корпусах типа КТ-97В обладают лучшими электрическими параметрами по сравнению с серийными транзисторами, в том числе максимальное постоянное напряжение вырастет Uкэ с 100 В до 250 В, граничное напряжение с 100 В до 125 В, снизятся напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер, обратный ток коллектор-эмиттер.
Благодаря новому корпусу уменьшатся масса и габариты, тепловое сопротивление кристалл-корпус с 1,4 °С/Вт до 1,2 °С/Вт, температура p-n переходов с 200 °С до 175 °С и, как следствие, увеличится гарантийная наработка с 25000 ч до 50000 ч.
- Разработка и серийный выпуск мощных импульсных диодов на напряжения 600 В, с временем восстановления обратного сопротивления trr ≤ 60-80 нс, в металлокерамических корпусах типа КТ-111В-2.02 (на 35 А) и КТ-111С-2.02 (на 45 А) в расширение серии 2Д684.
Новые приборы планируется выпускать по 5 типономиналов в каждом корпусе: одиночный диод, диодные сборки с общим катодом, с общим анодом, по схеме умножения, также однофазный мост. Приборы будут применяться в качестве выпрямительных или обратных диодов, включенных параллельно с мощным полевым, биполярным или биполярным транзистором с изолированным затвором при работе на индуктивную нагрузку для снижения динамических потерь.
- Разработка и серийный выпуск транзисторов 2Т935Б2 в корпусе КТ-111В-2.02. Эта работа позволит уменьшить весогабаритные параметры аппаратуры.
- Разработка и серийный выпуск транзисторов 2Т9138А в корпусе КТ-111В-2.02. Эта работа позволит уменьшить весогабаритные параметры аппаратуры.
- Разработка и серийный выпуск силовых модулей (сборок) для ИВЭП в виде многокристальных силовых модулей, в том числе:
- силовой ключ корректора коэффициента мощности в составе мощного полевого транзистора (600 В, 20 А, 0,23 Ом) и быстрого обратного диода (600 В, 15 А, 50 нс) в металлостеклянном корпусе типа МО-079;
- силовой ключ синхронного выпрямителя в составе мощного полевого транзистора (30, 60, 100 В; 20 А; 6, 8, 36 мОм) и обратного диода Шоттки (25, 60, 100 В; 20 А) в металлостеклянном корпусе типа КТ-97С;
- два силовых ключа на основе мощных полевых (600 В, 20 А, 0,23 Ом) или биполярных (600 В, 15 А, 1,5 В) транзисторов и быстрых обратных диодов (600 В, 15 А, 50 нс) в герметичных металлостеклянных корпусах типа S-6 и M-8.
Для увеличения мощности допускается параллельное включение ключей.
При последовательном включении ключей организуется классический полумост.
Предприятие разработало и выпускает специальное контрольно-измерительного оборудование:
- измеритель заряда затвора ИЗЗ-01;
- измерители теплового сопротивления РТПК-02 и РТПК-10;
- уникальный комплекс для испытаний на надежность мощных диодов в динамическом режиме.
Петр ЛАХИН,
генеральный директор
АО «Фрязинский завод мощных транзисторов»